| 元件型号: | BSC093N04LSGATMA1 |
| 产品名称: | BSC093N04LSGATMA1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | BSC093N04LSGATMA1 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 描述: | MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 |
| 系列: | OptiMOS |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 13A (Ta), 49A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 4.5V, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 2V @ 14µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 1900pF @ 20V |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 2.5W (Ta), 35W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 9.3 mOhm @ 40A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | PG-TDSON-8 |
| 包装/箱: | 8-PowerTDFN |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
BSC093N04LSGATMA1 23+ 0
23+
19032
USD 0
BSC093N04LSGATMA1 INFINEON 22+ 0
INFINEON
22+
35000
USD 0
BSC093N04LSGATMA1 INFINEON 21/22 0
INFINEON
21/22
25000
USD 0
BSC093N04LSGATMA1 INFINEON 22+ 0
INFINEON
22+
45050
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
BSC093N04LSGATMA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
1000
USD 0
BSC093N04LSGATMA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
1000
USD 0
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