| 元件型号: | BSM100GB170DN2HOSA1 |
| 产品名称: | BSM100GB170DN2HOSA1 Transistors - IGBTs - Modules |
| 商户特定标识符: | BSM100GB170DN2HOSA1 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules |
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 描述: | MODULE IGBT 1700V |
| 系列: | - |
| IGBT类型: | - |
| 配置: | Half Bridge |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 1700V |
| 集电极电流 (Ic)（最大）: | 145A |
| 功率 - 最大: | 1000W |
| Vce(on)（最大值）@Vge, Ic: | 3.9V @ 15V, 100A |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 1mA |
| 输入电容 (Cies) @ Vce: | 16nF @ 25V |
| 输入: | Standard |
| NTC热敏电阻: | No |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Chassis Mount |
| 包装/箱: | Module |
| 供应商设备包: | Module |
元件型号
品牌
生产日期
数量
BSM100GB170DN2HOSA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1
1511
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1 INFINEON
INFINEON
22
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1 INFINEON 2022
INFINEON
2022
10000
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1
1511
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1 INFINEON
INFINEON
22
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1 INFINEON 2022
INFINEON
2022
10000
USD 0
BSM100GB170DN2HOSA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
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