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什么是 BSM180D12P2C101?

元件型号: BSM180D12P2C101
产品名称: BSM180D12P2C101 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
商户特定标识符: BSM180D12P2C101
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
品牌: Rohm Semiconductor
描述: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
系列: -
包装: Bulk
场效应管类型: 2 N-Channel (Half Bridge)
场效应管特性: Standard
漏源电压 (Vdss): 1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 180A
Rds On(最大)@Id、Vgs: -
Vgs(th)(最大值)@Id: 4V @ 35.2mA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: -
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 23000pF @ 10V
功率 - 最大: 1130W
工作温度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: -
包装/箱: Module
供应商设备包: Module
根据 2 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

BSM180D12P2C101

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BSM180D12P2C101

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BSM180D12P2C101 ROHM

 

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BSM180D12P2C101 Rohm Semiconductor

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BSM180D12P2C101 ROHM

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