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什么是 IPD096N08N3GBTMA1?

元件型号: IPD096N08N3GBTMA1
产品名称: IPD096N08N3GBTMA1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: IPD096N08N3GBTMA1
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
系列: OptiMOS
包装: Tape & Reel (TR)
场效应管类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): -
Vgs(th)(最大值)@Id: 3.5V @ 46µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 2410pF @ 40V
Vgs(最大): -
场效应管特性: -
功耗(最大): 100W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 9.6 mOhm @ 46A, 10V
工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: PG-TO252-3
包装/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
根据 10 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

IPD096N08N3GBTMA1

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IPD096N08N3GBTMA1

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IPD096N08N3GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG

INFINEON TECHNOLOGIES AG 

22+

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IPD096N08N3GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG

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IPD096N08N3GBTMA1 Infineon

Infineon 

2022

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IPD096N08N3GBTMA1 Infineon Technologies

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IPD096N08N3GBTMA1 INFINEON

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IPD096N08N3GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG

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IPD096N08N3GBTMA1 Infineon

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IPD096N08N3GBTMA1 Infineon Technologies

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IPD096N08N3GBTMA1 INFINEON

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