| 元件型号: | IPD110N12N3GATMA1 |
| 产品名称: | IPD110N12N3GATMA1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | IPD110N12N3GATMA1 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 描述: | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 |
| 系列: | OptiMOS |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 120V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 75A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 3V @ 83µA (Typ) |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 65nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 4310pF @ 60V |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 136W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 11 mOhm @ 75A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | PG-TO252-3 |
| 包装/箱: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
1000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON 2022
INFINEON
2022
346000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 Infineon
Infineon
30000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 Infineon 21+
Infineon
21+
30000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
1000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 INFINEON 2022
INFINEON
2022
346000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 Infineon
Infineon
30000
USD 0
IPD110N12N3GATMA1 Infineon 21+
Infineon
21+
30000
USD 0
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