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什么是 IPD110N12N3GATMA1?

元件型号: IPD110N12N3GATMA1
产品名称: IPD110N12N3GATMA1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: IPD110N12N3GATMA1
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
系列: OptiMOS
包装: Tape & Reel (TR)
场效应管类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 120V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): 10V
Vgs(th)(最大值)@Id: 3V @ 83µA (Typ)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 4310pF @ 60V
Vgs(最大): ±20V
场效应管特性: -
功耗(最大): 136W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 11 mOhm @ 75A, 10V
工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: PG-TO252-3
包装/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
根据 15 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

IPD110N12N3GATMA1

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IPD110N12N3GATMA1

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IPD110N12N3GATMA1 INFINEON

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IPD110N12N3GATMA1 Infineon

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