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什么是 IPD122N10N3GATMA1?

元件型号: IPD122N10N3GATMA1
产品名称: IPD122N10N3GATMA1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: IPD122N10N3GATMA1
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 100V 59A
系列: OptiMOS
包装: Tape & Reel (TR)
场效应管类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): 6V, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id: 3.5V @ 46µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 35nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 2500pF @ 50V
Vgs(最大): ±20V
场效应管特性: -
功耗(最大): 94W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 12.2 mOhm @ 46A, 10V
工作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: PG-TO252-3
包装/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
根据 6 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

IPD122N10N3GATMA1

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IPD122N10N3GATMA1

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IPD122N10N3GATMA1   INFINEON

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IPD122N10N3GATMA1 Infineon

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IPD122N10N3GATMA1 INFINEON

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