元件型号: | IPD12CN10NGBUMA1 |
产品名称: | IPD12CN10NGBUMA1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | IPD12CN10NGBUMA1 |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Infineon Technologies |
描述: | MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 |
系列: | OptiMOS |
包装: | Tape & Reel (TR) |
场效应管类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 67A (Tc) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | - |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 4V @ 83µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 65nC @ 10V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 4320pF @ 50V |
Vgs(最大): | - |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 125W (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 12.4 mOhm @ 67A, 10V |
工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商设备包: | PG-TO252-3 |
包装/箱: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
IPD12CN10NGBUMA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG 22+
INFINEON TECHNOLOGIES AG
22+
3000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG 22+
INFINEON TECHNOLOGIES AG
22+
3000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 Infineon 23+
Infineon
23+
30000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 Infineon 2022
Infineon
2022
10000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG 22+
INFINEON TECHNOLOGIES AG
22+
3000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AG 22+
INFINEON TECHNOLOGIES AG
22+
3000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 Infineon 23+
Infineon
23+
30000
USD 0
IPD12CN10NGBUMA1 Infineon 2022
Infineon
2022
10000
USD 0