元件型号: | IRF1010EPBF |
产品名称: | IRF1010EPBF Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | IRF1010EPBF |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Infineon Technologies |
描述: | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB |
系列: | HEXFET |
包装: | Tube |
场效应管类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 84A (Tc) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | 10V |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 4V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 130nC @ 10V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 3210pF @ 25V |
Vgs(最大): | ±20V |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 200W (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 12 mOhm @ 50A, 10V |
工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
供应商设备包: | TO-220AB |
包装/箱: | TO-220-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
元件型号 : IRF1010EPBF
品牌 : Infineon
生产日期 : 22+
数量 : 32000
USD 0
元件型号 : IRF1010EPBF
品牌 : INFINEON
生产日期 : 22+
数量 : 32000
USD 0
元件型号 : IRF1010EPBF
品牌 : IR
生产日期 : 20+
数量 : 30050
USD 0
元件型号 : IRF1010E-PBF
品牌 : IR
生产日期 : 22+
数量 : 17000
USD 0
元件型号 : IRF1010EPBF
品牌 : Infineon
生产日期 : 22+
数量 : 3070
USD 0
元件型号 : IRF1010EPBF
品牌 : Infineon
生产日期 : 22+
数量 : 32000
USD 0
元件型号 : IRF1010EPBF
品牌 : INFINEON
生产日期 : 22+
数量 : 32000
USD 0
元件型号 : IRF1010EPBF
品牌 : IR
生产日期 : 20+
数量 : 30050
USD 0
元件型号 : IRF1010E-PBF
品牌 : IR
生产日期 : 22+
数量 : 17000
USD 0
元件型号 : IRF1010EPBF
品牌 : Infineon
生产日期 : 22+
数量 : 3070
USD 0