| 元件型号: | IRF640NSTRLPBF |
| 产品名称: | IRF640NSTRLPBF Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | IRF640NSTRLPBF |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 描述: | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
| 系列: | HEXFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 18A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 1160pF @ 25V |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 150W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 150 mOhm @ 11A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | D2PAK |
| 包装/箱: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
元件型号 : IRF640NSTRLPBF
品牌 : INFINEON
生产日期 : 23+
数量 : 56760
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : IRF640NSTRLPBF
品牌 : INFINEON
生产日期 :
数量 : 16000
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : IRF640NSTRLPBF
品牌 : INFINEON
生产日期 : 2209
数量 : 5600
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : IRF640NSTRLPBF
品牌 : INFINEON
生产日期 : 2220
数量 : 2991
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : IRF640NSTRLPBF
品牌 : INFINEON
生产日期 : 22+
数量 : 11650
单价 :
(USD)
USD
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