元件型号: | IRF6709S2TR1PBF |
产品名称: | IRF6709S2TR1PBF Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | IRF6709S2TR1PBF |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Infineon Technologies |
描述: | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 |
系列: | HEXFET |
包装: | |
场效应管类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 25V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 12A (Ta), 39A (Tc) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | - |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 2.35V @ 25µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 12nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 1010pF @ 13V |
Vgs(最大): | - |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商设备包: | DIRECTFET S1 |
包装/箱: | DirectFET,Isometric S1 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
元件型号 : IRF6709S2TR1PBF
品牌 : IR
生产日期 :
数量 : 10462
USD 0
元件型号 : IRF6709S2TR1PBF
品牌 : IR
生产日期 :
数量 : 35158
USD 0
元件型号 : IRF6709S2TR1PBF
品牌 : Infineon Technologies
生产日期 : 21+
数量 : 16000
USD 0
元件型号 : IRF6709S2TR1PBF
品牌 : IR
生产日期 : 0951
数量 : 1000
USD 0
元件型号 : IRF6709S2TR1PBF
品牌 : IR
生产日期 :
数量 : 10462
USD 0
元件型号 : IRF6709S2TR1PBF
品牌 : IR
生产日期 :
数量 : 35158
USD 0
元件型号 : IRF6709S2TR1PBF
品牌 : Infineon Technologies
生产日期 : 21+
数量 : 16000
USD 0
元件型号 : IRF6709S2TR1PBF
品牌 : IR
生产日期 : 0951
数量 : 1000
USD 0