| 元件型号: | IRLB4030PBF |
| 产品名称: | IRLB4030PBF Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | IRLB4030PBF |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB |
| 系列: | HEXFET |
| 包装: | Tube |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 180A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 4.5V, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 130nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 11360pF @ 50V |
| Vgs（最大）: | ±16V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 370W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 4.3 mOhm @ 110A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商设备包: | TO-220AB |
| 包装/箱: | TO-220-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
IRLB4030PBF Infineon Technologies 0
Infineon Technologies
858
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
IRLB4030PBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
1000
USD 0
IRLB4030PBF
IR()
IR()
3098
USD 0
IRLB4030PBF Infineon Technologies
Infineon Technologies
14000
USD 0
IRLB4030PBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
1000
USD 0
IRLB4030PBF
IR()
IR()
3098
USD 0
IRLB4030PBF Infineon Technologies
Infineon Technologies
14000
USD 0
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