| 元件型号: | IRLHS6342TR2PBF |
| 产品名称: | IRLHS6342TR2PBF Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | IRLHS6342TR2PBF |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 描述: | MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN |
| 系列: | HEXFET |
| 包装: | |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | - |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1.1V @ 10µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 1019pF @ 25V |
| Vgs（最大）: | - |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 2.1W (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 6-PQFN (2x2) |
| 包装/箱: | 6-PowerVDFN |
元件型号
品牌
生产日期
数量
IRLHS6342TR2PBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
IRLHS6342TR2PBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
35800
USD 0
IRLHS6342TR2PBF Infineon Technologies
Infineon Technologies
1000
USD 0
IRLHS6342TR2PBF IR 13+
IR
13+
16423
USD 0
IRLHS6342TR2PBF IR 21+
IR
21+
50000
USD 0
IRLHS6342TR2PBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
IRLHS6342TR2PBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
35800
USD 0
IRLHS6342TR2PBF Infineon Technologies
Infineon Technologies
1000
USD 0
IRLHS6342TR2PBF IR 13+
IR
13+
16423
USD 0
IRLHS6342TR2PBF IR 21+
IR
21+
50000
USD 0
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