| 元件型号: | IRLMS1902TRPBF |
| 产品名称: | IRLMS1902TRPBF Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | IRLMS1902TRPBF |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 描述: | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP |
| 系列: | HEXFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 3.2A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 2.7V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 700mV @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 300pF @ 15V |
| Vgs（最大）: | ±12V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 1.7W (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | Micro6,TSOP-6) |
| 包装/箱: | SOT-23-6 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
IRLMS1902TRPBF IR 2021+ 0
IR
2021+
22000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
IRLMS1902TRPBF. IR
IR
10817
USD 0
IRLMS1902TRPBF TI
TI
1000
USD 0
IRLMS1902TRPBF TI 21+
TI
21+
500
USD 0
IRLMS1902TRPBF Infineon 22+
Infineon
22+
1528
USD 0
IRLMS1902TRPBF. IR
IR
10817
USD 0
IRLMS1902TRPBF TI
TI
1000
USD 0
IRLMS1902TRPBF TI 21+
TI
21+
500
USD 0
IRLMS1902TRPBF Infineon 22+
Infineon
22+
1528
USD 0
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