| 元件型号: | MT29E3T08EQHBBG23B |
| 产品名称: | MT29E3T08EQHBBG23B Memory |
| 商户特定标识符: | MT29E3T08EQHBBG23B |
| 类别: | Integrated Circuits (ICs) > Memory |
| 品牌: | Micron Technology Inc. |
| 描述: | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA |
| 系列: | - |
| 包装: | - |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NAND |
| 内存大小: | 3Tb (384G x 8) |
| 时钟频率: | 333MHz |
| 写入周期时间 - 字、页: | - |
| 存取时间: | - |
| 内存接口: | Parallel |
| 电压 - 电源: | 2.5 V ~ 3.6 V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | - |
| 包装/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
元件型号
品牌
生产日期
数量
MT29E3T08EQHBBG2-3:B Micron Technology Inc. 21+
Micron Technology Inc.
21+
16000
USD 0
MT29E3T08EQHBBG2-3:B
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
20000
USD 0
MT29E3T08EQHBBG2-3:B MICRON 20+
MICRON
20+
20000
USD 0
MT29E3T08EQHBBG2-3:B Micron Technology Inc. 21+
Micron Technology Inc.
21+
16000
USD 0
MT29E3T08EQHBBG2-3:B
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
20000
USD 0
MT29E3T08EQHBBG2-3:B MICRON 20+
MICRON
20+
20000
USD 0
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