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什么是 MT29F4T08EYCBBG937ESB?

元件型号: MT29F4T08EYCBBG937ESB
产品名称: MT29F4T08EYCBBG937ESB Memory
商户特定标识符: MT29F4T08EYCBBG937ESB
类别: Integrated Circuits (ICs) > Memory
品牌: Micron Technology Inc.
描述: IC FLASH 4TBIT 267MHZ LBGA
系列: -
包装: -
内存类型: Non-Volatile
内存格式: FLASH
技术: FLASH - NAND
内存大小: 4Tb (512G x 8)
时钟频率: 267MHz
写入周期时间 - 字、页: -
存取时间: -
内存接口: Parallel
电压 - 电源: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C (TA)
安装类型: -
包装/箱: -
供应商设备包: -
根据 2 条客户评论评分 4/5
Integrated Circuits (ICs) - Memory

MT29F4T08EYCBBG937ESB

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MT29F4T08EYCBBG937ESB

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元件型号

品牌

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MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR Micron Technology Inc.

 

Micron Technology Inc. 

22+

2700
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MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc. 

21+

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MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B   MICRON

MICRON 

12000
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MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc. 

23+

23560
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MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B   MICRON

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Micron Technology Inc. 

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