元件型号: | MT29F4T08EYCBBG937ESB |
产品名称: | MT29F4T08EYCBBG937ESB Memory |
商户特定标识符: | MT29F4T08EYCBBG937ESB |
类别: | Integrated Circuits (ICs) > Memory |
品牌: | Micron Technology Inc. |
描述: | IC FLASH 4TBIT 267MHZ LBGA |
系列: | - |
包装: | - |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH - NAND |
内存大小: | 4Tb (512G x 8) |
时钟频率: | 267MHz |
写入周期时间 - 字、页: | - |
存取时间: | - |
内存接口: | Parallel |
电压 - 电源: | 2.7 V ~ 3.6 V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
安装类型: | - |
包装/箱: | - |
供应商设备包: | - |
元件型号
品牌
生产日期
数量
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR Micron Technology Inc. 21+
Micron Technology Inc.
21+
16000
USD 0
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B MICRON
MICRON
12000
USD 0
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR Micron Technology Inc. 23+
Micron Technology Inc.
23+
23560
USD 0
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B MICRON
MICRON
55654
USD 0
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR Micron Technology Inc. 21+
Micron Technology Inc.
21+
16000
USD 0
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B MICRON
MICRON
12000
USD 0
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR Micron Technology Inc. 23+
Micron Technology Inc.
23+
23560
USD 0
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B MICRON
MICRON
55654
USD 0