| 元件型号: | NAND512R3A2BZA6E |
| 产品名称: | NAND512R3A2BZA6E Memory |
| 商户特定标识符: | NAND512R3A2BZA6E |
| 类别: | Integrated Circuits (ICs) > Memory |
| 品牌: | STMicroelectronics |
| 描述: | IC FLASH 512MBIT 60NS 63VFBGA |
| 系列: | - |
| 包装: | Tray |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NAND |
| 内存大小: | 512Mb (64M x 8) |
| 时钟频率: | - |
| 写入周期时间 - 字、页: | 60ns |
| 存取时间: | 60ns |
| 内存接口: | Parallel |
| 电压 - 电源: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包装/箱: | 63-VFBGA |
| 供应商设备包: | 63-VFBGA (8.5x15) |
元件型号
品牌
生产日期
数量
NAND512R3A2BZA6E ST
ST
33790
USD 0
NAND512R3A2BZA6E STMicroelectronics 22+
STMicroelectronics
22+
128500
USD 0
NAND512R3A2BZA6E STMicroelectronics 21+
STMicroelectronics
21+
8433
USD 0
NAND512R3A2BZA6E ST
ST
33790
USD 0
NAND512R3A2BZA6E STMicroelectronics 22+
STMicroelectronics
22+
128500
USD 0
NAND512R3A2BZA6E STMicroelectronics 21+
STMicroelectronics
21+
8433
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