| 元件型号: | NDD04N60ZT4G |
| 产品名称: | NDD04N60ZT4G Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | NDD04N60ZT4G |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | ON Semiconductor |
| 描述: | MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK |
| 系列: | - |
| 包装: | |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 4.1A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 4.5V @ 50µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 640pF @ 25V |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 83W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 2 Ohm @ 2A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | DPAK |
| 包装/箱: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
NDD04N60ZT4G VBSEMI/ 22+
VBSEMI/
22+
60489
USD 0
NDD04N60ZT4G ON
ON
12481
USD 0
NDD04N60ZT4G ON 2022
ON
2022
200000
USD 0
NDD04N60ZT4G ON
ON
226
USD 0
NDD04N60ZT4G VBSEMI/ 22+
VBSEMI/
22+
60489
USD 0
NDD04N60ZT4G ON
ON
12481
USD 0
NDD04N60ZT4G ON 2022
ON
2022
200000
USD 0
NDD04N60ZT4G ON
ON
226
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