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什么是 NSVBA114EDXV6T1G?

元件型号: NSVBA114EDXV6T1G
产品名称: NSVBA114EDXV6T1G Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
商户特定标识符: NSVBA114EDXV6T1G
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
品牌: ON Semiconductor
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
系列: -
包装: Tape & Reel (TR)
晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极电流 (Ic)(最大): 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧姆): 10k
电阻器 - 发射极基极 (R2)(欧姆): 10k
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大): 500nA
频率-转变: -
功率 - 最大: 500mW
安装类型: Surface Mount
包装/箱: SOT-563, SOT-666
供应商设备包: SOT-563-6
根据 10 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

NSVBA114EDXV6T1G

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NSVBA114EDXV6T1G

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NSVBA114EDXV6T1G ON SEMI

 

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NSVBA114EDXV6T1G ON Semiconductor

ON Semiconductor 

8000
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NSVBA114EDXV6T1G ON

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20+

3600
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