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什么是 RN1703JE?

元件型号: RN1703JE
产品名称: RN1703JE Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
商户特定标识符: RN1703JE
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
系列: -
包装: Cut Tape (CT)
晶体管类型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
集电极电流 (Ic)(最大): 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧姆): 22k
电阻器 - 发射极基极 (R2)(欧姆): 22k
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
电流 - 集电极截止(最大): 100nA (ICBO)
频率-转变: 250MHz
功率 - 最大: 100mW
安装类型: Surface Mount
包装/箱: SOT-553
供应商设备包: ESV
根据 20 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased

RN1703JE

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RN1703JE

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RN1703JE TOSHIBA

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RN1703JE   TOSHIBA

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RN1703JE(TE85L,F) Toshiba

Toshiba 

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RN1703JE(TE85L,F) Toshiba

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