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主页 > 元件型号索引 > 索引 83 > 产品 (页: 2464) > SI1304BDL-T1-E3

什么是 SI1304BDLT1E3?

元件型号: SI1304BDLT1E3
产品名称: SI1304BDLT1E3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: SI1304BDLT1E3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3
系列: TrenchFET
包装:
场效应管类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): -
Vgs(th)(最大值)@Id: 1.3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 2.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 100pF @ 15V
Vgs(最大): -
场效应管特性: -
功耗(最大): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 270 mOhm @ 900mA, 4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: SC-70-3
包装/箱: SC-70, SOT-323
根据 3 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SI1304BDLT1E3

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SI1304BDLT1E3

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元件型号

品牌

生产日期

数量

元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : VISHAY 

生产日期 : 12+

数量 : 3394
USD 0

元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : Vishay 

生产日期 : 22+

数量 : 55200
USD 0

元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : VISHAY 

生产日期 : 22+

数量 : 6000
USD 0

元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : VISHAY 

生产日期 : 12+

数量 : 10
USD 0

元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : VASHAY 

生产日期 : 1439+

数量 : 1000
USD 0

元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : VISHAY 

生产日期 : 12+

数量 : 3394
USD 0

元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : Vishay 

生产日期 : 22+

数量 : 55200
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元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : VISHAY 

生产日期 : 22+

数量 : 6000
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元件型号 : SI1304BDL-T1-E3

品牌 : VISHAY 

生产日期 : 12+

数量 : 10
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品牌 : VASHAY 

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