| 元件型号: | SI2302CDST1GE3 |
| 产品名称: | SI2302CDST1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI2302CDST1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 2.6A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 2.5V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 850mV @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 5.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | - |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 710mW (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装/箱: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
元件型号 : SI2302CDS-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 : 21+CN
数量 : 36000
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : SI2302CDS-T1-GE3
品牌 : HIROSE
生产日期 : 17+
数量 : 3300
单价 :
(USD)
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元件型号 : SI2302CDS-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 : 2021
数量 : 120000
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : SI2302CDS-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 23+
数量 : 191000
单价 :
(USD)
USD
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元件型号 : SI2302CDS-T1-GE3
品牌 : VISHAY/威世
生产日期 : 21+
数量 : 1000
单价 :
(USD)
USD
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