| 元件型号: | SI2331DST1GE3 |
| 产品名称: | SI2331DST1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI2331DST1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3 |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 3.2A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | - |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 900mV @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 780pF @ 6V |
| Vgs（最大）: | - |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 710mW (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 48 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装/箱: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
SI2331DS-T1-GE3 VISHAY 2023+ 0
VISHAY
2023+
185000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI2331DS-T1-GE3 VISHAY/
VISHAY/
13000
USD 0
Si2331DS-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
29000
USD 0
SI2331DS-T1-GE3 VISHAY 14+
VISHAY
14+
18000
USD 0
Si2331DS-T1-GE3 VISHAY 21+
VISHAY
21+
13210
USD 0
SI2331DS-T1-GE3 VISHAY/
VISHAY/
13000
USD 0
Si2331DS-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
29000
USD 0
SI2331DS-T1-GE3 VISHAY 14+
VISHAY
14+
18000
USD 0
Si2331DS-T1-GE3 VISHAY 21+
VISHAY
21+
13210
USD 0
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