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什么是 SI2333DST1GE3?

元件型号: SI2333DST1GE3
产品名称: SI2333DST1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: SI2333DST1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
系列: TrenchFET
包装: Tape & Reel (TR)
场效应管类型: P-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): -
Vgs(th)(最大值)@Id: 1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 1100pF @ 6V
Vgs(最大): -
场效应管特性: -
功耗(最大): 750mW (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: SOT-23-3 (TO-236)
包装/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
根据 18 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SI2333DST1GE3

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SI2333DST1GE3

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品牌

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数量

SI2333DS-T1-GE3 VISHAY/

VISHAY/ 

2022

4868000
USD 0

SI2333DS-T1-GE3 mosfet

mosfet 

2023

50000
USD 0

SI2333DS-T1-GE3   Vishay Siliconix

Vishay Siliconix 

9
USD 0

SI2333DS-T1-GE3 VISHAY/

VISHAY/ 

2022

4868000
USD 0

SI2333DS-T1-GE3 mosfet

mosfet 

2023

50000
USD 0

SI2333DS-T1-GE3   Vishay Siliconix

Vishay Siliconix 

9
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