| 元件型号: | SI3434DVT1E3 |
| 产品名称: | SI3434DVT1E3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI3434DVT1E3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 4.6A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | - |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 600mV @ 1mA (Min) |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | - |
| Vgs（最大）: | - |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 1.14W (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 34 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 6-TSOP |
| 包装/箱: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI3434DV-T1-E3 Vishay 22+
Vishay
22+
48500
USD 0
SI3434DV-T1-E3 VishaySiliconix 22+
VishaySiliconix
22+
3000
USD 0
SI3434DV-T1-E3 Vishay Siliconix 19+
Vishay Siliconix
19+
13025
USD 0
SI3434DV-T1-E3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
16700
USD 0
SI3434DV-T1-E3
VISHAY
2021+
VISHAY
2021+
15500
USD 0
SI3434DV-T1-E3 Vishay 22+
Vishay
22+
48500
USD 0
SI3434DV-T1-E3 VishaySiliconix 22+
VishaySiliconix
22+
3000
USD 0
SI3434DV-T1-E3 Vishay Siliconix 19+
Vishay Siliconix
19+
13025
USD 0
SI3434DV-T1-E3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
16700
USD 0
SI3434DV-T1-E3
VISHAY
2021+
VISHAY
2021+
15500
USD 0
| 
