| 元件型号: | SI3460DVT1E3 |
| 产品名称: | SI3460DVT1E3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI3460DVT1E3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 5.1A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 450mV @ 1mA (Min) |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | - |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 1.1W (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 6-TSOP |
| 包装/箱: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI3460DV-T1-E3 VISHAY 0838+
VISHAY
0838+
42198
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY 19+
VISHAY
19+
6000
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY 07+
VISHAY
07+
6422
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY 20+
VISHAY
20+
90372
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY
VISHAY
1000
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY 0838+
VISHAY
0838+
42198
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY 19+
VISHAY
19+
6000
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY 07+
VISHAY
07+
6422
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY 20+
VISHAY
20+
90372
USD 0
SI3460DV-T1-E3 VISHAY
VISHAY
1000
USD 0
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