| 元件型号: | SI4435DDYT1E3 |
| 产品名称: | SI4435DDYT1E3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI4435DDYT1E3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Cut Tape (CT) |
| 场效应管类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 11.4A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 4.5V, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 1350pF @ 15V |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 24 mOhm @ 9.1A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 8-SO |
| 包装/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI4435DDY-T1-E3
SILICONIX/VISHAY
SILICONIX/VISHAY
189
USD 0
SI4435DDY-T1-E3 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
12944
USD 0
SI4435DDY-T1-E3 Vishay()
Vishay()
10000
USD 0
SI4435DDY-T1-E3
VISHAY
2018+
VISHAY
2018+
850000
USD 0
SI4435DDY-T1-E3 VISHAY 10+
VISHAY
10+
7050
USD 0
SI4435DDY-T1-E3
SILICONIX/VISHAY
SILICONIX/VISHAY
189
USD 0
SI4435DDY-T1-E3 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
12944
USD 0
SI4435DDY-T1-E3 Vishay()
Vishay()
10000
USD 0
SI4435DDY-T1-E3
VISHAY
2018+
VISHAY
2018+
850000
USD 0
SI4435DDY-T1-E3 VISHAY 10+
VISHAY
10+
7050
USD 0
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