元件型号: | SI4477DYT1GE3 |
产品名称: | SI4477DYT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | SI4477DYT1GE3 |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Vishay Siliconix |
描述: | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC |
系列: | TrenchFET |
包装: | Tape & Reel (TR) |
场效应管类型: | P-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 26.6A (Tc) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | 2.5V, 4.5V |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 1.5V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 190nC @ 10V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 4600pF @ 10V |
Vgs(最大): | ±12V |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 3W (Ta), 6.6W (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V |
工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商设备包: | 8-SO |
包装/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY 12+ 0
VISHAY
12+
15000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
78
USD 0
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY 11+
VISHAY
11+
2108
USD 0
Si4477DY-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
225800
USD 0
SI4477DY-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
35800
USD 0
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
78
USD 0
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY 11+
VISHAY
11+
2108
USD 0
Si4477DY-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
225800
USD 0
SI4477DY-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
35800
USD 0