元件型号: | SI4894BDYT1GE3 |
产品名称: | SI4894BDYT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | SI4894BDYT1GE3 |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Vishay Siliconix |
描述: | MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC |
系列: | TrenchFET |
包装: | Cut Tape (CT) |
场效应管类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 8.9A (Ta) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 3V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 38nC @ 10V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 1580pF @ 15V |
Vgs(最大): | ±20V |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 1.4W (Ta) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 11 mOhm @ 12A, 10V |
工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商设备包: | 8-SO |
包装/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
元件型号
品牌
生产日期
数量
元件型号 : SI4894BDY-T1-GE3.
品牌 : VIS
生产日期 :
数量 : 50616
USD 0
元件型号 : SI4894BDY-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 :
数量 : 55853
USD 0
元件型号 : SI4894BDYT1GE3
品牌 : VISHAY/
生产日期 :
数量 : 12500
USD 0
元件型号 : SI4894BDY-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 22+
数量 : 225800
USD 0
元件型号 : SI4894BDY-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 : 2018+
数量 : 850000
USD 0
元件型号 : SI4894BDY-T1-GE3.
品牌 : VIS
生产日期 :
数量 : 50616
USD 0
元件型号 : SI4894BDY-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 :
数量 : 55853
USD 0
元件型号 : SI4894BDYT1GE3
品牌 : VISHAY/
生产日期 :
数量 : 12500
USD 0
元件型号 : SI4894BDY-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 22+
数量 : 225800
USD 0
元件型号 : SI4894BDY-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 : 2018+
数量 : 850000
USD 0