| 元件型号: | SI5853DDCT1E3 |
| 产品名称: | SI5853DDCT1E3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI5853DDCT1E3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
| 系列: | LITTLE FOOT |
| 包装: | Cut Tape (CT) |
| 场效应管类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 4A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 12nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 320pF @ 10V |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 场效应管特性: | Schottky Diode (Isolated) |
| 功耗（最大）: | 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 105 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 1206-8 ChipFET |
| 包装/箱: | 8-SMD, Flat Lead |
元件型号
品牌
生产日期
数量
元件型号 : SI5853DDC-T1-E3
品牌 : Vishay
生产日期 : 22+
数量 : 35800
USD 0
元件型号 : SI5853DDC-T1-E3
品牌 : VISHAY
生产日期 :
数量 : 25744
USD 0
元件型号 : SI5853DDC-T1-E3
品牌 : VISHAY
生产日期 :
数量 : 300576
USD 0
元件型号 : SI5853DDCT1E3
品牌 : VISHAY/
生产日期 :
数量 : 19000
USD 0
元件型号 : SI5853DDC-T1-E3
品牌 : Vishay
生产日期 : 22+
数量 : 35800
USD 0
元件型号 : SI5853DDC-T1-E3
品牌 : VISHAY
生产日期 :
数量 : 25744
USD 0
元件型号 : SI5853DDC-T1-E3
品牌 : VISHAY
生产日期 :
数量 : 300576
USD 0
元件型号 : SI5853DDCT1E3
品牌 : VISHAY/
生产日期 :
数量 : 19000
USD 0
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