| 元件型号: | SI7820DNT1GE3 |
| 产品名称: | SI7820DNT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI7820DNT1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8 |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 1.7A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 6V, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | - |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 1.5W (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 240 mOhm @ 2.6A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | PowerPAK 1212-8 |
| 包装/箱: | PowerPAK 1212-8 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
SI7820DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 21 0
Vishay Semiconductors
21
9000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI7820DN-T1-GE3 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
29736
USD 0
SI7820DNT1GE3 VISHAY/
VISHAY/
13000
USD 0
SI7820DN-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
28616
USD 0
SI7820DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
800
USD 0
SI7820DN-T1-GE3 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
29736
USD 0
SI7820DNT1GE3 VISHAY/
VISHAY/
13000
USD 0
SI7820DN-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
28616
USD 0
SI7820DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
800
USD 0
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