| 元件型号: | SI9926BDYT1GE3 |
| 产品名称: | SI9926BDYT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 商户特定标识符: | SI9926BDYT1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | 2 N-Channel (Dual) |
| 场效应管特性: | Logic Level Gate |
| 漏源电压 (Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 6.2A |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.14W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包装/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SO |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI9926BDY-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
46000
USD 0
Si9926BDY-T1-GE3 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
32120
USD 0
Si9926BDY-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
31000
USD 0
SI9926BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
8000
USD 0
SI9926BDY-T1-GE3 VISHAY 2022
VISHAY
2022
4868000
USD 0
SI9926BDY-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
46000
USD 0
Si9926BDY-T1-GE3 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
32120
USD 0
Si9926BDY-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
31000
USD 0
SI9926BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
8000
USD 0
SI9926BDY-T1-GE3 VISHAY 2022
VISHAY
2022
4868000
USD 0
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