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什么是 SI9934BDYT1GE3?

元件型号: SI9934BDYT1GE3
产品名称: SI9934BDYT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
商户特定标识符: SI9934BDYT1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
系列: TrenchFET
包装:
场效应管类型: 2 P-Channel (Dual)
场效应管特性: Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss): 12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 4.8A
Rds On(最大)@Id、Vgs: 35 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id: 1.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 20nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: -
功率 - 最大: 1.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
包装/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包: 8-SO
根据 14 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

SI9934BDYT1GE3

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SI9934BDYT1GE3

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SI9934BDY-T1-GE3 VISHAY/

VISHAY/ 

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SI9934BDY-T1-GE3 VISHAY/

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2022

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SI9934BDY-T1-GE3 VISHAY

VISHAY 

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SI9934BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix 

8000
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SI9934BDY-T1-GE3 VISHAY/

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SI9934BDY-T1-GE3 VISHAY

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SI9934BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix

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