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什么是 SIA408DJT1GE3?

元件型号: SIA408DJT1GE3
产品名称: SIA408DJT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: SIA408DJT1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
系列: TrenchFET
包装: Cut Tape (CT)
场效应管类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): 2.5V, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id: 1.6V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 24nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 830pF @ 15V
Vgs(最大): ±12V
场效应管特性: -
功耗(最大): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 36 mOhm @ 5.3A, 10V
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: PowerPAK SC-70-6 Single
包装/箱: PowerPAK SC-70-6
根据 20 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SIA408DJT1GE3

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SIA408DJT1GE3

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SiA408DJ-T1-GE3 VISHAY/

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SIA408DJ-T1-GE3 VISHAY

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SIA408DJ-T1-GE3 VISHAY

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