元件型号: | SIA430DJT1GE3 |
产品名称: | SIA430DJT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | SIA430DJT1GE3 |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Vishay Siliconix |
描述: | MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6 |
系列: | TrenchFET |
包装: | Cut Tape (CT) |
场效应管类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 12A (Tc) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 3V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 18nC @ 10V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 800pF @ 10V |
Vgs(最大): | ±20V |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 13.5 mOhm @ 7A, 10V |
工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商设备包: | PowerPAK SC-70-6 Single |
包装/箱: | PowerPAK SC-70-6 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SIA430DJ-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
55200
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
18649
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 VISHAY 09+
VISHAY
09+
2849
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
19769
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
15000
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
55200
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
18649
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 VISHAY 09+
VISHAY
09+
2849
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
19769
USD 0
SIA430DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
15000
USD 0