元件型号: | SIA456DJT1GE3 |
产品名称: | SIA456DJT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | SIA456DJT1GE3 |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Vishay Siliconix |
描述: | MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6 |
系列: | TrenchFET |
包装: | Tape & Reel (TR) |
场效应管类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 2.6A (Tc) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | 1.8V, 4.5V |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 1.4V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 14.5nC @ 10V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 350pF @ 100V |
Vgs(最大): | ±16V |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V |
工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商设备包: | PowerPAK SC-70-6 Single |
包装/箱: | PowerPAK SC-70-6 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
元件型号 : SIA456DJ-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 : 23+
数量 : 11000
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : SIA456DJ-T1-GE3
品牌 : Vishay(威世)
生产日期 : 22+
数量 : 3510
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : SIA456DJ-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 : 22+
数量 : 3000
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号 : SIA456DJ-T1-GE3
品牌 : VISHAY
生产日期 : 23+
数量 : 3208
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号
品牌
生产日期
数量
元件型号 : SIA456DJ-T1-GE3
品牌 : VISHAY/
生产日期 : 2022
数量 : 11050
USD 0
元件型号 : SIA456DJ-T1-GE3
品牌 : VISHAY/
生产日期 : 2022
数量 : 11050
USD 0