| 元件型号: | SIRC16DPT1GE3 |
| 产品名称: | SIRC16DPT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SIRC16DPT1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET N-CH 25V 60A SO8 |
| 系列: | TrenchFET Gen IV |
| 包装: | |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 60A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 4.5V, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 2.4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 48nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 5150pF @ 10V |
| Vgs（最大）: | +20V, -16V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 54.3W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 0.96 mOhm @ 15A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | PowerPAK SO-8 |
| 包装/箱: | PowerPAK SO-8 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
元件型号 : SiRC16DP-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 22+
数量 : 35800
USD 0
元件型号 : SIRC16DP-T1-GE3
品牌 : Vishay Siliconix
生产日期 : 23+
数量 : 16660
USD 0
元件型号 : SIRC16DP-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 19+
数量 : 1000
USD 0
元件型号 : SIRC16DP-T1-GE3
品牌 :
生产日期 : 21+
数量 : 6000
USD 0
元件型号 : SIRC16DP-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 22+
数量 : 5000
USD 0
元件型号 : SiRC16DP-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 22+
数量 : 35800
USD 0
元件型号 : SIRC16DP-T1-GE3
品牌 : Vishay Siliconix
生产日期 : 23+
数量 : 16660
USD 0
元件型号 : SIRC16DP-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 19+
数量 : 1000
USD 0
元件型号 : SIRC16DP-T1-GE3
品牌 :
生产日期 : 21+
数量 : 6000
USD 0
元件型号 : SIRC16DP-T1-GE3
品牌 : Vishay
生产日期 : 22+
数量 : 5000
USD 0
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