| 元件型号: | TC58BYG0S3HBAI6 |
| 产品名称: | TC58BYG0S3HBAI6 Memory |
| 商户特定标识符: | TC58BYG0S3HBAI6 |
| 类别: | Integrated Circuits (ICs) > Memory |
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述: | IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA |
| 系列: | Benand |
| 包装: | Non-Volatile |
| 内存类型: | Tray |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM - NAND |
| 内存大小: | 1Gb (128M x 8) |
| 时钟频率: | - |
| 写入周期时间 - 字、页: | 25ns |
| 存取时间: | 25ns |
| 内存接口: | Parallel |
| 电压 - 电源: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包装/箱: | 67-VFBGA |
| 供应商设备包: | 67-VFBGA (6.5x8) |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
TC58BYG0S3HBAI6 KIOXIA 23+ 0
KIOXIA
23+
760
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
TC58BYG0S3HBAI6 TOSHIBA
TOSHIBA
15817
USD 0
TC58BYG0S3HBAI6
TOSHIBA
16+
TOSHIBA
16+
2867
USD 0
TC58BYG0S3HBAI6 Kioxia America 2022
Kioxia America
2022
346000
USD 0
TC58BYG0S3HBAI6 TOSHIBA/
TOSHIBA/
15117
USD 0
TC58BYG0S3HBAI6 TOSHIBA
TOSHIBA
15817
USD 0
TC58BYG0S3HBAI6
TOSHIBA
16+
TOSHIBA
16+
2867
USD 0
TC58BYG0S3HBAI6 Kioxia America 2022
Kioxia America
2022
346000
USD 0
TC58BYG0S3HBAI6 TOSHIBA/
TOSHIBA/
15117
USD 0
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