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什么是 TK10E60WS1VX?

元件型号: TK10E60WS1VX
产品名称: TK10E60WS1VX Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: TK10E60WS1VX
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
描述: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
系列: DTMOSIV
包装: Tube
场效应管类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): 10V
Vgs(th)(最大值)@Id: 3.7V @ 500µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 20nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: 700pF @ 300V
Vgs(最大): ±30V
场效应管特性: Super Junction
功耗(最大): 100W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 380 mOhm @ 4.9A, 10V
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商设备包: TO-220
包装/箱: TO-220-3
根据 12 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

TK10E60WS1VX

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TK10E60WS1VX

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