| 元件型号: | TPS1101DR |
| 产品名称: | TPS1101DR Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | TPS1101DR |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | <a href='https://texas_instruments.hkinventory.com/' target='_blank'>Texas Instruments</a> |
| 描述: | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC |
| 系列: | - |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 15V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 2.3A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | - |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 11.25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | - |
| Vgs（最大）: | - |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 791mW (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 90 mOhm @ 2.5A, 10V |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 8-SOIC |
| 包装/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
元件型号
品牌
生产日期
数量
TPS1101DR TI 21
TI
21
2216
USD 0
TPS1101DR Texas Instruments 08+
Texas Instruments
08+
69
USD 0
TPS1101DR TI 08+
TI
08+
69
USD 0
TPS1101DR TI 21
TI
21
2216
USD 0
TPS1101DR Texas Instruments 08+
Texas Instruments
08+
69
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TPS1101DR TI 08+
TI
08+
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