| 元件型号: | CSD17313Q2T |
| 产品名称: | CSD17313Q2T Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | CSD17313Q2T |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | <a href='https://texas_instruments.hkinventory.com/' target='_blank'>Texas Instruments</a> |
| 描述: | MOSFET N-CH 30V 5A |
| 系列: | NexFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 5A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 3V, 8V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1.8V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 2.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 340pF @ 15V |
| Vgs（最大）: | +10V, -8V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 2.4W (Ta), 17W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 30 mOhm @ 4A, 8V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 6-WSON (2x2) |
| 包装/箱: | 6-WDFN Exposed Pad |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
CSD17313Q2T TI 20+21+ 0
TI
20+21+
12000
USD 0
CSD17313Q2T TI 20+21+ 0
TI
20+21+
35000
USD 0
CSD17313Q2T TI 20+21+ 0
TI
20+21+
35000
USD 0
CSD17313Q2T TI 21+ 0
TI
21+
35000
USD 0
CSD17313Q2T 0
5000
USD 0
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