| 元件型号: | IRLML6302GTRPBF |
| 产品名称: | IRLML6302GTRPBF Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | IRLML6302GTRPBF |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 描述: | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 |
| 系列: | HEXFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 780mA (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 2.7V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 3.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 97pF @ 15V |
| Vgs（最大）: | ±12V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 540mW (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | Micro3,SOT-23 |
| 包装/箱: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
IRLML6302GTRPBF Infineon 23+ 0
Infineon
23+
10000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies
Infineon Technologies
15000
USD 0
IRLML6302GTRPBF IR 23+
IR
23+
38000
USD 0
IRLML6302GTRPBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
35800
USD 0
IRLML6302GTRPBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies
Infineon Technologies
15000
USD 0
IRLML6302GTRPBF IR 23+
IR
23+
38000
USD 0
IRLML6302GTRPBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
35800
USD 0
IRLML6302GTRPBF INFINEON 22+
INFINEON
22+
32000
USD 0
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