| 元件型号: | SI2304BDST1GE3 |
| 产品名称: | SI2304BDST1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI2304BDST1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 2.6A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 4.5V, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 225pF @ 15V |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 750mW (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 70 mOhm @ 2.5A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装/箱: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY 21 0
VISHAY
21
8000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY() 21+
VISHAY()
21+
20741
USD 0
SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
50607
USD 0
SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
352
USD 0
SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY() 21+
VISHAY()
21+
20741
USD 0
SI2304BDS-T1-GE3 VISHAY/ 2022
VISHAY/
2022
50607
USD 0
SI2304BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
352
USD 0
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