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什么是 SI7810DNT1GE3?

元件型号: SI7810DNT1GE3
产品名称: SI7810DNT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
商户特定标识符: SI7810DNT1GE3
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
系列: TrenchFET
包装:
场效应管类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss): 100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): -
Vgs(th)(最大值)@Id: 4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: -
Vgs(最大): -
场效应管特性: -
功耗(最大): 1.5W (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs: 62 mOhm @ 5.4A, 10V
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商设备包: PowerPAK 1212-8
包装/箱: PowerPAK 1212-8
根据 15 条客户评论评分 5/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single

SI7810DNT1GE3

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SI7810DNT1GE3

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SI7810DN-T1-GE3 VISHAY

VISHAY 

09+

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SI7810DN-T1-GE3 SILICONIX (VISHAY)

SILICONIX (VISHAY) 

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SI7810DN-T1-GE3   Vishay Siliconix

Vishay Siliconix 

158
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SI7810DN-T1-GE3 VISHAY/

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2022

19969
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SI7810DN-T1-GE3 VISHAY/

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SI7810DN-T1-GE3 VISHAY

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SI7810DN-T1-GE3 SILICONIX (VISHAY)

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SI7810DN-T1-GE3   Vishay Siliconix

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