| 元件型号: | SI8409DBT1E1 |
| 产品名称: | SI8409DBT1E1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI8409DBT1E1 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Cut Tape (CT) |
| 场效应管类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 4.6A (Ta) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 2.5V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1.4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | - |
| Vgs（最大）: | ±12V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 1.47W (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 46 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 4-Microfoot |
| 包装/箱: | 4-XFBGA, CSPBGA |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SI8409DB-T1-E1 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
77390
USD 0
SI8409DBT1E1
VISHAY
2005
VISHAY
2005
3000
USD 0
SI8409DB-T1-E1 1114+
1114+
18000
USD 0
SI8409DB-T1-E1 VISHAY 19+
VISHAY
19+
6000
USD 0
SI8409DB-T1-E1 VISHAY
VISHAY
2940
USD 0
SI8409DB-T1-E1 VISHAY/ 22+
VISHAY/
22+
77390
USD 0
SI8409DBT1E1
VISHAY
2005
VISHAY
2005
3000
USD 0
SI8409DB-T1-E1 1114+
1114+
18000
USD 0
SI8409DB-T1-E1 VISHAY 19+
VISHAY
19+
6000
USD 0
SI8409DB-T1-E1 VISHAY
VISHAY
2940
USD 0
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