| 元件型号: | STD30N10F7 |
| 产品名称: | STD30N10F7 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | STD30N10F7 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | STMicroelectronics |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK |
| 系列: | DeepGATE, STripFET,VII |
| 包装: | Cut Tape (CT) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 32A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 4.5V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 1270pF @ 50V |
| Vgs（最大）: | 20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 50W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 24 mOhm @ 16A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | DPAK |
| 包装/箱: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
STD30N10F7 ST 21+CN 0
ST
21+CN
1272
USD 0
STD30N10F7 ST 22+ 0
ST
22+
1272
USD 0
STD30N10F7 STMicroelectronics 21 0
STMicroelectronics
21
50000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
STD30N10F7 ST
ST
124368
USD 0
STD30N10F7 ST
ST
20000
USD 0
STD30N10F7 ST
ST
124368
USD 0
STD30N10F7 ST
ST
20000
USD 0
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