| 元件型号: | IRF630 |
| 产品名称: | IRF630 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | IRF630 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | STMicroelectronics |
| 描述: | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 |
| 系列: | MESH OVERLAY,II |
| 包装: | Tube |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 9A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 700pF @ 25V |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 75W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
| 工作温度: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商设备包: | TO-220AB |
| 包装/箱: | TO-220-3 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
元件型号 : IRF630
品牌 : INFINEON
生产日期 : 23+
数量 : 10000
单价 :
(USD)
USD
0
元件型号
品牌
生产日期
数量
元件型号 : IRF630
品牌 : STM
生产日期 :
数量 : 180
USD 0
元件型号 :
IRF630
品牌 : ST
生产日期 : 22+
数量 : 32000
USD 0
元件型号 :
IRF630
品牌 : Infineon
生产日期 : 22+
数量 : 32000
USD 0
元件型号 : IRF630
品牌 : STM
生产日期 :
数量 : 180
USD 0
元件型号 :
IRF630
品牌 : ST
生产日期 : 22+
数量 : 32000
USD 0
元件型号 :
IRF630
品牌 : Infineon
生产日期 : 22+
数量 : 32000
USD 0
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