| 元件型号: | SI4840BDYT1GE3 |
| 产品名称: | SI4840BDYT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SI4840BDYT1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Cut Tape (CT) |
| 场效应管类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 19A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 4.5V, 10V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 2000pF @ 20V |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 2.5W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 9 mOhm @ 12.4A, 10V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | 8-SO |
| 包装/箱: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
SI4840BDY-T1-GE3 Onsemi 21+ 0
Onsemi
21+
80000
USD 0
SI4840BDY-T1-GE3 VISHAY 21+/22+ 0
VISHAY
21+/22+
10000
USD 0
SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductors 21 0
Vishay Semiconductors
21
2500
USD 0
SI4840BDY-T1-GE3 LVM 21 0
LVM
21
37500
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
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