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什么是 SI8900EDBT2E1?

元件型号: SI8900EDBT2E1
产品名称: SI8900EDBT2E1 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
商户特定标识符: SI8900EDBT2E1
类别: Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
品牌: Vishay Siliconix
描述: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
系列: TrenchFET
包装: Tape & Reel (TR)
场效应管类型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应管特性: Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss): 20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 5.4A
Rds On(最大)@Id、Vgs: -
Vgs(th)(最大值)@Id: 1V @ 1.1mA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: -
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: -
功率 - 最大: 1W
工作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
包装/箱: 10-UFBGA, CSPBGA
供应商设备包: 10-Micro Foot,CSP (2x5)
根据 7 条客户评论评分 4/5
Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

SI8900EDBT2E1

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SI8900EDBT2E1

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SI8900EDB-T2-E1 SILICONIX

SILICONIX 

10340
USD 0

SI8900EDB-T2-E1 SILICONIX

SILICONIX 

11340
USD 0

SI8900EDB-T2-E1 SILICONIX

SILICONIX 

2022

11340
USD 0

SI8900EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix 

8000
USD 0

SI8900EDB-T2-E1 SILICONIX

SILICONIX 

10340
USD 0

SI8900EDB-T2-E1 SILICONIX

SILICONIX 

11340
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SI8900EDB-T2-E1 SILICONIX

SILICONIX 

2022

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SI8900EDB-T2-E1 Vishay Siliconix

Vishay Siliconix 

8000
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