| 元件型号: | SIS407DNT1GE3 |
| 产品名称: | SIS407DNT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 商户特定标识符: | SIS407DNT1GE3 |
| 类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 品牌: | Vishay Siliconix |
| 描述: | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK |
| 系列: | TrenchFET |
| 包装: | Tape & Reel (TR) |
| 场效应管类型: | P-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压 (Vdss): | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 25A (Tc) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）: | 1.8V, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id: | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs: | 93.8nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds: | 2760pF @ 10V |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 场效应管特性: | - |
| 功耗（最大）: | 3.6W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs: | 9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商设备包: | PowerPAK 1212-8 |
| 包装/箱: | PowerPAK 1212-8 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
单价 (USD)
数量
SIS407DN-T1-GE3 VISHAY 23+ 0
VISHAY
23+
7000
USD 0
SIS407DN-T1-GE3 vishay 1542+ 0
vishay
1542+
4952
USD 0
SIS407DN-T1-GE3 VISHAY 22+ 0
VISHAY
22+
21000
USD 0
元件型号
品牌
生产日期
数量
SIS407DN-T1-GE3. VISHAY/
VISHAY/
10040
USD 0
SIS407DN-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
4488
USD 0
SIS407DN-T1-GE3. VISHAY/
VISHAY/
10040
USD 0
SIS407DN-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
4488
USD 0
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