元件型号: | SIS427EDNT1GE3 |
产品名称: | SIS427EDNT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
商户特定标识符: | SIS427EDNT1GE3 |
类别: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
品牌: | Vishay Siliconix |
描述: | MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 |
系列: | TrenchFET |
包装: | Tape & Reel (TR) |
场效应管类型: | P-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压 (Vdss): | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: | 50A (Tc) |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻): | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(最大值)@Id: | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs: | 66nC @ 10V |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds: | 1930pF @ 15V |
Vgs(最大): | ±25V |
场效应管特性: | - |
功耗(最大): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Rds On(最大)@Id、Vgs: | 10.6 mOhm @ 11A, 10V |
工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安装类型: | Surface Mount |
供应商设备包: | PowerPAK 1212-8 |
包装/箱: | PowerPAK 1212-8 |
元件型号
品牌
生产日期
数量
SIS427EDN-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
35800
USD 0
SiS427EDN-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
35800
USD 0
SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
31151
USD 0
SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
18240
USD 0
SIS427EDN-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
35800
USD 0
SiS427EDN-T1-GE3 Vishay 22+
Vishay
22+
35800
USD 0
SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
31151
USD 0
SIS427EDN-T1-GE3 VISHAY
VISHAY
18240
USD 0